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靜電放電(ESD)和閂鎖(Latch-up)是集成電路(IC)較主要的場(chǎng)致失效模式。ESD靜電和閂鎖測(cè)試系統(tǒng)能有效觸發(fā)器件的潛在缺陷，驗(yàn)證其防護(hù)能力。然而，測(cè)試本身僅能判斷“好壞”——器件是否失效。要真正理解失效機(jī)理、改進(jìn)設(shè)計(jì)或工藝，關(guān)鍵在于精確定位損傷點(diǎn)。此時(shí)，光學(xué)顯微鏡(OM)和發(fā)射顯微鏡(EMMI)成為失效分析實(shí)驗(yàn)室中關(guān)鍵的“火眼金睛”。第一步：電性失效分析與初步定位在ESD測(cè)試后，首先通過電性測(cè)試(如參數(shù)測(cè)試、功能測(cè)試)確認(rèn)器件失效模式(如漏電、開路、短路)。利用液晶...

ESD敏感器件(如集成電路、傳感器芯片)對(duì)靜電極為敏感，哪怕微弱的靜電放電都可能造成內(nèi)部電路損壞，引發(fā)設(shè)備故障。抗靜電能力測(cè)試系統(tǒng)通過科學(xué)模擬靜電場(chǎng)景，成為驗(yàn)證這類器件防護(hù)性能的核心工具，為電子產(chǎn)業(yè)鏈的質(zhì)量安全保駕護(hù)航。?在測(cè)試方式上，系統(tǒng)需兼顧接觸放電與空氣放電兩種核心場(chǎng)景。接觸放電模擬人體直接觸碰器件時(shí)的靜電釋放，測(cè)試電壓需精準(zhǔn)覆蓋±2kV至±30kV，能清晰記錄器件在不同電壓下的耐壓極限，比如某類芯片在15kV接觸放電后是否出現(xiàn)邏輯功能紊亂。...

在現(xiàn)代科技高度發(fā)達(dá)的時(shí)代，靜電問題對(duì)電子設(shè)備的破壞性日益凸顯。因此，抗靜電能力測(cè)試系統(tǒng)成為了確保電子產(chǎn)品安全可靠運(yùn)行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)?？轨o電能力測(cè)試系統(tǒng)的核心原理是通過模擬實(shí)際靜電放電情況，評(píng)估電子產(chǎn)品的抗靜電能力。這一過程主要依賴于靜電放電模擬器（ESDSimulator）來實(shí)現(xiàn)。1、靜電放電模擬：靜電放電模擬器采用電容放電的原理，在被測(cè)產(chǎn)品與模擬器之間建立電容。通過模擬人體接觸到產(chǎn)品時(shí)可能產(chǎn)生的靜電放電，來評(píng)估產(chǎn)品的抗靜電能力。靜電放電模擬通常包括人體放電模式和設(shè)備放電模式，以...

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的今天，靜電放電（ESD）對(duì)半導(dǎo)體器件的潛在威脅不容忽視。晶圓級(jí)ESD測(cè)試儀作為檢測(cè)和評(píng)估ESD防護(hù)能力的關(guān)鍵設(shè)備，正發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。半導(dǎo)體制造過程非常復(fù)雜且精細(xì)，從晶圓制造到芯片封裝，每一步都可能受到ESD的影響。ESD產(chǎn)生的瞬間高壓和大電流，可能會(huì)擊穿半導(dǎo)體器件內(nèi)部的微小結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致器件性能下降甚至失效。據(jù)統(tǒng)計(jì)，因ESD造成的半導(dǎo)體產(chǎn)品損失占總損失的相當(dāng)比例，因此精確檢測(cè)和控制ESD至關(guān)重要。晶圓級(jí)ESD測(cè)試儀能夠在晶圓階段對(duì)ESD防護(hù)結(jié)構(gòu)進(jìn)行全面...

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，尤其是集成電路(IC)的復(fù)雜度不斷提高，器件的可靠性和性能測(cè)試變得愈加重要。ES622系列TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)成為一種關(guān)鍵的測(cè)試工具，用于評(píng)估半導(dǎo)體器件在瞬態(tài)電流脈沖作用下的響應(yīng)。本文將介紹TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用，以及其在器件可靠性評(píng)估中的重要作用。TLP脈沖IV測(cè)試原理TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)通過施加瞬態(tài)電流脈沖（通常是短時(shí)間的高電流脈沖）來模擬器件在實(shí)際工作環(huán)境中可能遇到的極端情況。該系統(tǒng)測(cè)量半導(dǎo)體器件在受到脈沖電流作用時(shí)的電...

在集成電路(IC)和其他微電子器件制造過程中，靜電放電(ESD)是導(dǎo)致產(chǎn)品缺陷和失效的一個(gè)主要因素。因此，利用專業(yè)的芯片靜電測(cè)試設(shè)備來檢測(cè)和驗(yàn)證IC對(duì)靜電的承受能力變得至關(guān)重要。這類設(shè)備不僅能幫助工程師們識(shí)別薄弱環(huán)節(jié)，還能促進(jìn)產(chǎn)品設(shè)計(jì)和工藝的不斷改進(jìn)，以提升整體可靠性。靜電測(cè)試的目的1.質(zhì)量控制：確保每一批次產(chǎn)品的靜電防護(hù)達(dá)到預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)。2.故障分析：確定ESD事件對(duì)芯片的影響，追蹤根本原因。3.合規(guī)性驗(yàn)證：滿足國(guó)內(nèi)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求，如IEC61000-4-2（人體模型）和MI...

高壓脈沖發(fā)生器的主要應(yīng)用：搭配二極管和電容注入探頭進(jìn)行ESD電流注入搭配場(chǎng)探頭或TEMCell進(jìn)行E＆H場(chǎng)注入用于晶圓，PCB，系統(tǒng)級(jí)ESD調(diào)試（TLP通用方法）觸摸屏的ITO熔斷和故障測(cè)試充電恢復(fù)時(shí)間測(cè)試元件的ESD脈沖可靠性測(cè)試工作原理：1、高壓直流電源高壓直流電源的作用是將從電網(wǎng)輸入的交流電整流再逆變成高壓交流電，然后經(jīng)過整流變成高壓直流電。其主要由整流、功率因數(shù)校正、逆變、變壓器升壓和倍壓整流組成。2、高壓脈沖波形研究設(shè)計(jì)的高壓脈沖發(fā)生器產(chǎn)生的脈沖波形主要有方波、指數(shù)...

靜電放電（ESD）是一種常見的現(xiàn)象，它可能對(duì)電子設(shè)備和敏感元件造成嚴(yán)重?fù)p害。因此，抗靜電能力的測(cè)試成為保障電子產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性的重要環(huán)節(jié)?？轨o電能力測(cè)試系統(tǒng)通過評(píng)估材料和組件在靜電環(huán)境中的表現(xiàn)，為產(chǎn)品設(shè)計(jì)和改進(jìn)提供了重要依據(jù)?？轨o電能力測(cè)試系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)：一、靜電放電模擬技術(shù)該測(cè)試系統(tǒng)的核心在于靜電放電模擬技術(shù)。該技術(shù)可以模擬不同強(qiáng)度和頻率的靜電放電事件，以評(píng)估被測(cè)對(duì)象的抗靜電性能。常見的模擬方法包括：1.人接觸模型（HBM）：模擬人體靜電放電情況，適用于大多數(shù)電子元件的測(cè)試...

在當(dāng)今信息爆炸的時(shí)代，企業(yè)面臨著海量的數(shù)據(jù)處理和管理挑戰(zhàn)。為了更好地利用數(shù)據(jù)資產(chǎn)，提高數(shù)據(jù)處理效率和精度成為了企業(yè)數(shù)據(jù)管理的重要目標(biāo)之一。在這個(gè)背景下，CDM測(cè)試機(jī)應(yīng)運(yùn)而生，成為了企業(yè)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)處理效率和精度的重要工具之一。CDM測(cè)試機(jī)是一種專門用于數(shù)據(jù)管理和數(shù)據(jù)處理的測(cè)試設(shè)備，它可以通過一系列的測(cè)試和分析來評(píng)估數(shù)據(jù)的質(zhì)量、完整性和一致性。CDM測(cè)試機(jī)通常包括數(shù)據(jù)質(zhì)量檢查、數(shù)據(jù)比對(duì)、數(shù)據(jù)清洗等功能，可以幫助企業(yè)發(fā)現(xiàn)和解決數(shù)據(jù)質(zhì)量問題，提高數(shù)據(jù)處理效率和精度。如何提高數(shù)據(jù)處理效率...

自動(dòng)化靜電槍測(cè)試系統(tǒng)是一款具有自動(dòng)故障檢測(cè)功能的全自動(dòng)靜電槍測(cè)試儀，其性能遠(yuǎn)優(yōu)于手動(dòng)靜電測(cè)試，符合IEC61000-4-2測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。主要特點(diǎn)：支持各類型號(hào)的靜電槍五個(gè)側(cè)面擊打（頂部和四個(gè)側(cè)面）自動(dòng)故障檢測(cè)挑選和放置自動(dòng)更換槍頭(接觸空氣)連接器插頭/拔出DUT翻轉(zhuǎn)可定制的報(bào)告生成通過圖形界面定義測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)DUT偏移校正按鍵和觸摸屏手指放電刷符合IEC61000–4–2的打擊桌子管腳測(cè)試基于腳本的測(cè)試流程故障檢測(cè)：FD模塊包括四個(gè)模擬信號(hào)和四個(gè)數(shù)字信號(hào)的監(jiān)測(cè)、來自光電傳感器和1...