晶圓級(jí)ESD測(cè)試儀通常采用以下幾種主要的ESD（靜電放電）模型進(jìn)行測(cè)試，以全面評(píng)估半導(dǎo)體器件在不同靜電放電條件下的性能和耐受能力：
1、人體模型（HBM）：這是常見的ESD測(cè)試模型之一，模擬了當(dāng)帶電的人體接觸半導(dǎo)體器件時(shí)發(fā)生的靜電放電。HBM通常使用100pF的電容和1.5kΩ的電阻來模擬人體的電容和電阻特性。測(cè)試時(shí)，電容通過電阻放電至半導(dǎo)體器件，以此來評(píng)估器件的耐受能力。
2、機(jī)器模型（MM）：機(jī)器模型模擬了當(dāng)帶電的機(jī)器或設(shè)備接觸半導(dǎo)體器件時(shí)發(fā)生的靜電放電。與HBM相比，MM的放電能量更高，放電速度更快。MM通常使用200pF的電容和0Ω的電阻來模擬放電過程，測(cè)試時(shí)直接將電容的電荷放電至半導(dǎo)體器件。
3、充電設(shè)備模型（CDM）：CDM模擬了當(dāng)帶電的半導(dǎo)體器件本身放電至地時(shí)的情況，通常發(fā)生在器件搬運(yùn)或安裝過程中。CDM的測(cè)試條件更加復(fù)雜，因?yàn)榉烹娐窂胶头烹娔芰咳Q于器件的內(nèi)部布局。測(cè)試時(shí)，器件被充電到一定電壓，然后通過一個(gè)非常低的電阻放電至地，以評(píng)估器件的內(nèi)部ESD保護(hù)電路的性能。
4、帶電人體模型（CHBM）：CHBM是HBM的變體，模擬了人體在接觸器件之前就已經(jīng)帶有靜電荷的情況。這種模型考慮了人體在接觸器件前的放電過程，通常使用與HBM相似的電容和電阻，但放電過程更復(fù)雜，因?yàn)樯婕暗饺梭w與器件之間的多次接觸和放電。
5、組合放電模型（CSM）：CSM是一種更復(fù)雜的ESD測(cè)試模型，它結(jié)合了HBM和MM的測(cè)試條件，模擬了在短時(shí)間內(nèi)半導(dǎo)體器件可能遇到的多種靜電放電情況。這種模型能夠更全面地評(píng)估器件在實(shí)際使用環(huán)境中的ESD防護(hù)能力。
通過這些ESD模型的測(cè)試，晶圓級(jí)ESD測(cè)試儀能夠提供關(guān)于半導(dǎo)體器件ESD性能的詳細(xì)信息，幫助設(shè)計(jì)者優(yōu)化器件的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)，提高產(chǎn)品的可靠性和耐用性。不同的測(cè)試模型適用于不同的測(cè)試需求和應(yīng)用場(chǎng)景，選擇合適的測(cè)試模型對(duì)于準(zhǔn)確評(píng)估器件的ESD耐受能力至關(guān)重要。
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更新時(shí)間：2024-08-22 
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